反激项目中的一些问题

发布于:2024-12-18 ⋅ 阅读:(54) ⋅ 点赞:(0)

伏秒平衡:(电感在导通和关断时,其电流变化相等。)

伏秒平衡其实是有应用环境的,一般用在开关电路(网上资料都写的是开关电源)。

当开关电路稳定工作的时候,一个开关周期内的电感的电流变化量最终为0,即经过电感的电

流增量和电感的电流减少量是相等。换句话说,在开关电路中,一个周期因开关作用被分为两

段,其中一段时间内电感电流在增加,另一段时间内电感电流在减少,稳定状态下那么在一个

开关周期内,电流的增加量与电流的减少量是相等。

反激式开关电源中电压电流反馈电路怎么设计的:

PEP : 初级侧的外部保护。保护功能包括但不限于初级 MOSFET 的过温保护 (OTP) 和辅助绕组的过压保护 (OVP)。内部电流源允许直接连接。

PVB: 初级电压旁路。外部陶瓷电容器(通常为 1μF/6.3V)可以连接到 PVB。

次级电流采样:CS:  初级 MOSFET 电流感应,用于峰值电流模式调节和 SCP 功能。CS 还根据 HV 电压实现过功率消耗。

VCC:  用于初级 IC 操作的电源。VCC 间接感应输出电压以实现 OVP。

PDrv:  外部功率 MOSFET 的输出驱动。

EBO: 输入感应。EBO 连接到外部分压电阻器以感应输入电压。这提供了更准确的 brown-in/-out 和可调整的阈值。EBO 与 PGND 短路以禁用外部感应。这样,欠压/欠压依赖于通过 HV 的内部感应。

HV: 高压。HV 实现内部高压电流源,用于初级 IC 的启动和正常运行。HV 对输入电压进行采样,以便在初级峰值电流上进行欠压/欠压和线路补偿。

SRD: 同步整流 MOSFET 的漏极电压检测。

SDrv: 外部功率 MOSFET 的输出驱动。

SVB:  次级电压旁路。外部陶瓷电容器 (通常为 1μF/6.3V) 可以连接到 SVB。

CMOP:用于输出电压调节的内部误差放大器。将补偿网络连接到 COMP 以调整调节性能。

CP:输出电缆压降补偿。一个 1μF 的陶瓷电容器可以作为低通滤波器连接到 CP。补偿电压可通过并联电阻器进行调整。如果不需要 CP,则直接将 CP 短至 SGND。

输出电压检测:FB: 恒压调节的反馈。将 FB 连接到分压电阻器以感应输出电压

次级电流采样:IS:过载保护感应。IS 通过在输出回路中连接电流感应电阻器来感应 OLP。

RCD 钳位电路设计:

看你简历上写做过反激电路,先画一下反激电路:

压摆率是运算放大器(或其他电子设备)在单位时间内输出电压的最大变化速率,用于描述其响应输入信号的能力。

一个500M的方波信号,示波器带宽多少合适:

选择示波器的带宽时,需要根据信号的特性以及所需测量的精度来决定。对于一个 500 MHz 方波信号,带宽选择需考虑方波的谐波成分:

IIC用什么输出,为什么选择开漏输出:

PSRR是什么,单位是什么:(电源纹波抑制比)

FreeRTOS移植最重要的是什么:

解释一下采样定律:(很重要!!!)

采样定律是数字信号处理的核心理论,用于描述如何将连续信号(模拟信号)转换为离散信号(数字信号)而不丢失信息。

软开关原理,软开关怎么实现的,画个图:

软开关的原理

软开关是一种通过减少开关过程中的电压、电流重叠以降低开关损耗和电磁干扰(EMI)的技术。其核心思想是让开关器件(如MOSFET、IGBT)在电压或电流接近为零时进行开关动作,从而实现零电压开关(ZVS)零电流开关(ZCS)


软开关的分类

  1. 零电压开关(ZVS,Zero Voltage Switching)

    • 在开关器件导通时,使电压降至零或接近零,减小开关损耗。
  2. 零电流开关(ZCS,Zero Current Switching)

    • 在开关器件关断时,使电流降至零或接近零,减少关断时的尖峰损耗。

反激电源原边开关管什么情况下开或者关:

开关管开启的条件

开关管导通(开启)时,电流流过变压器原边绕组,使变压器储能。

开关管关闭的条件

开关管关断时,变压器的储能通过次级绕组释放到负载。

反激电源设计流程说一下,变压器怎么设计,匝比确定,变压器磁芯种类以及怎么选,反激电源原边开关管什么情况下开或者关

电流检测器件:电流互感器,霍尔元件,分流器

反激准谐振电路特点不包括:工作在连续模式:

反激准谐振电路的特点确实不包括“工作在连续模式”,这是因为准谐振电路的核心工作机制与**断续模式(DCM)边界模式(BCM)**密切相关,而不是连续模式(CCM)。

伏秒积不平衡是变压器设计和电路驱动中常见的问题,尤其是在开关电源和逆变器电路中。伏秒积不平衡会导致变压器磁芯饱和,从而引发高损耗、过热以及电路失效。以下是改善伏秒积不平衡的主要方法:

SI做的是什么?具体的参数指标是什么还记得吗?步骤是什么?
测试用例怎么设计?CPLD是控制的什么?

2. SI 的具体参数指标

以下是SI分析的关键参数指标:

指标 含义
阻抗匹配 确保信号线的特性阻抗与源/终端阻抗一致,减少反射。
反射系数(S11/S22) 衡量信号在线路接口处的反射强度,反射系数越小越好。
插入损耗(S21) 衡量信号在传输过程中能量的损耗,损耗越小越好。
时序裕量 确保信号传输时间不超出允许范围,避免时序违例。
眼图 在接收端观察信号的开口高度和宽度,开口越大说明信号质量越好。
串扰(Crosstalk) 邻近信号线之间的干扰,串扰越小越好。
Jitter(抖动) 信号到达的时间偏差,包括周期抖动和时间抖动,抖动越小越好。
共模/差模噪声 测试信号传输中的共模和差模噪声,确保其低于标准。
EMI/EMC 确保设计符合电磁辐射和抗干扰能力的标准。

PI做的是什么?电源噪声怎么测的,具体参数还记得吗,主要观察什么现象?如果电源噪声纹波大了会有什么影响?


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