数字后端APR innovus sroute到底是如何选取宽度来铺power rail的?

发布于:2025-07-14 ⋅ 阅读:(14) ⋅ 点赞:(0)

吾爱IC社区新一期IC训练营将于7月初开班(07.06号晚上第一次直播课)!社区所有IC后端训练营课程均为直播课!全网唯一一家敢开后端直播课的(口碑不好招生一定存在困难,自然就无法开直播课)!超小班教学!所有课程均为小编亲自授课!

考虑到今年经济大环境和就业环境,为了保证所有学员都能够就业,吾爱IC社区这期IC后端训练营仍然会包含T28nm ARM Cortexa7core训练营和T12nm ARM A55 UPF Flow Flatten实现训练营。即这期支持两个不同工艺,两个不同项目一起学!当然也支持单独报名(a7core训练营4999,T12nm A55 UPF Flow 6900,两个训练营一起是7900)!

去年应届生普遍是学的这两个课程合并的训练营课程,就业数据特别漂亮!双非背景学员学完这套课程,就业率都高达95%!本硕均为985背景的学员,可以只学第一个课程,就业也都没问题的。

现在社区的训练营学员基本上都是老学员或行业工程师推荐过来的。所以,为了感谢大家的支持和信任,从这期开始每成功推荐一个学员,小编会给400元现金奖励,上不封顶(不要推荐费的,也可以直接减掉400元学费)!

从今年IC上市公司的财报和上半年IC行业的整体形势,今年秋招行情一定比去年行情要好(等秋招结束后再来验证)!

2024届IC秋招兆易创新数字IC后端笔试面试题

T28nm和T12nm两个项目的区别联系

1)T28nm这个工艺目前只能算传统工艺,T28nm工艺采用的项目是arm A7core

2)T12nm这个工艺属于FinFet工艺,涉及Double Pattern Layer。在PR实现阶段和Signoff阶段都需要有特殊处理的地方,比如memory不能随意摆放,模块尺寸大小有限制,signoff方式及signoff corner都不一样

3)有了28nm工艺的后端实现经验后,做T12nm a55项目就可以很清晰看到两个不同工艺的不同做法

4)T12nm项目涉及更多低功耗设计实现技术,包含了两个power domain,使用upf flow做的数字后端实现

为了应对今年的秋招,社区目前已经开设四个不同的后端实战训练营课程。所有后端训练营课程均为直播课!小编目前是全职为各位学员提供服务!在学习和做项目过程中有任何问题,都可以随时找小编一对一解决。

数字IC后端设计实现十大精华主题分享
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最近有不少学员问到sroute铺power rail的宽度问题,今天给大家来分享下工具是如何来做sroute的。

大部分成熟工艺一般我们都是通过下面的命令来做sroute的。我们很清晰可以看到这个命令并没有指定power rail的宽度。

sroute -connect { corePin } \

-layerChangeRange { M1(1) M1(1) } \

-corePinTarget { none } \

-allowJogging 1 \

-crossoverViaLayerRange { M1(1) M1(1) } \

-nets { VDD VSS } \

-allowLayerChange 1 \

-targetViaLayerRange { M1(1) M1(1) }

下图所示为咱们社区T40nm复杂时钟clock gen项目做完sroute后的部分截图。从这里我们可以看出标准单元的pg pin 高度是0.230um,而且M1 Power Rail的高度刚好跟我们标准单元pg pin这块是完全重合的。

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很多人会好奇,工具是如何做到的呢?

工具默认会从lef中的如下信息来获取默认的power rail高度的呢。

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power rail的默认高度(M1的宽度)是不是通过如下简单数学运算获取?

innovus 167> expr 1.375 - 1.145

0.23

需要注意的是如果标准单元pg pin 有多层出pin,工具会按照pg pin 面积最大的那层来算。

下面我们来看看咱们TSMC 12nm A55项目的power rail情况。如果仍然让工具采用默认的算法来铺power rail,sroute做完是不是应该是这样的?

sroute -connect { corePin } -blockPinTarget { nearestTarget } -corePinTarget { none } -nets { VDD_LOCAL VSS } -uda m1_power_rail_pso -powerDomains PD_PSO

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这样铺power rail,后续我们会有很多base layer和绕线相关drc的。

先进工艺base drc violation
所以我们需要指定好一个合适的power rail高度来做sroute,我们T12nm 9Track项目M1 Power Rail的高度是0.032um,M2 Power Rail的高度是0.064um。

sroute -connect { corePin } -blockPinTarget { nearestTarget } -corePinTarget { none } -nets { VDD_LOCAL VSS } -uda m1_power_rail_pso -corePinWidth 0.032 -powerDomains PD_PSO

在这里插入图片描述
小编特地把标准单元内部的m1 cell blockage打开了,大家可以看看如果power rail高度比较高,它跟标准单元内部的走线是不是容易出问题? 更何况M1-M3都是double pattern layer(DPT Layer)!

其实T12nm是使用Dual Power Rail的,M2的power rail我们也是不铺满整个pg pin高度的。

在这里插入图片描述
需要提醒的是这个corePinWidth数值必须是manufacturing grid格点的整数倍。

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在先进工艺节点下,电源轨道都是采用dual power rail的结构。下图所示为三星8nm工艺打dual power rail的脚本。

三星8nm dual power rail结构脚本


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