在卫星通信系统中，低噪声块下变频器（LNB）的性能直接影响到信号接收的质量。D8400 作为一款专为 GaAs 和 HEMT FET 设计的偏置控制器，能够为 LNB 提供稳定的偏置电压和电流，确保系统在各种环境下的稳定运行。
产品简介
D8400 是一款高性能的 FET 偏置控制器，专为卫星接收系统中的 LNB 设计。它能够为多达四个外部接地源 FET 提供漏极电压和电流控制，同时生成所需的负栅极偏置电压。该芯片采用 SSOP16 封装形式，具有体积小、功耗低、稳定性高的特点。
主要特性
为 GaAs 和 HEMT FET 提供偏置：D8400 能够为多种 FET 提供稳定的偏置电压和电流。
支持多达四个 FET：单芯片即可控制多达四个 FET，减少外部元件数量。
动态 FET 保护：在任何条件下，包括电源上电/下电瞬态，栅极驱动电压都不会超过 -3.5V 至 0.7V 的范围。
漏极电流由外部电阻设置：通过外部电阻 RCAL1 和 RCAL2，可以灵活设置每个 FET 的漏极电流。
负电源轨生成器：仅需两个外部电容即可生成稳定的负电源轨，用于 FET 栅极偏置。
宽电源电压范围：支持 5V 至 12V 的电源电压，适应不同的电源系统。
SSOP16 表面贴装封装：适合紧凑型设计，减少 PCB 空间占用。
电气特性
供电电压：5V 至 12V，确保在不同电源条件下都能稳定工作。
静态电流：典型值为 10mA，最大值为 50mA，低功耗设计适合电池供电或对功耗敏感的应用。
漏极电流：通过外部电阻设置，范围为 8mA 至 12mA，确保 FET 在最佳工作状态下运行。
栅极输出电流范围：-30µA 至 2000µA，提供灵活的栅极电流控制。
栅极输出电压：在不同负载条件下，输出电压范围为 -3.5V 至 0V，确保 FET 的稳定偏置。
输出噪声：漏极噪声电压 ≤ 0.02Vpk-pk，栅极噪声电压 ≤ 0.005Vpk-pk，确保低噪声运行。
引脚说明
| 引脚号 | 引脚名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | GND | 地 |
| 2 | N/C | 未连接 |
| 3 | NB1 | 负电源轨 1 |
| 4 | VN7 | 负电源轨 7 |
| 5 | RCAL1 | 漏极电流设置电阻 1 |
| 6 | RCAL2 | 漏极电流设置电阻 2 |
| 7 | CSUB | 负电源轨生成器电容 |
| 8 | CNB1 | 负电源轨生成器电容 1 |
| 9 | CNB2 | 负电源轨生成器电容 2 |
| 10 | VCC | 电源正极 |
| 11 | HCAL2 | 校准电阻 2 |
| 12 | RCAL1 | 漏极电流设置电阻 1 |
| 13 | CSUB | 负电源轨生成器电容 |
| 14 | CNB1 | 负电源轨生成器电容 1 |
| 15 | CNB2 | 负电源轨生成器电容 2 |
| 16 | VCC | 电源正极 |
应用场景
卫星接收 LNB
在卫星接收 LNB 中，D8400 能够为多个 FET 提供稳定的偏置电压和电流，确保 LNB 在各种环境下的稳定运行。通过简单的外部电阻和电容配置，可以灵活调整 FET 的漏极电流和栅极电压，满足不同应用的需求。
移动无线电（PMR）
在移动无线电系统中，D8400 能够为 FET 提供稳定的偏置，确保系统在低噪声和高增益状态下的运行。其宽电源电压范围和低功耗设计使其适合电池供电的便携式设备。
手机
在手机中，D8400 能够为 FET 提供稳定的偏置，确保在低噪声和高增益状态下的运行。其动态 FET 保护功能能够保护 FET 免受电源瞬态和负载故障的影响，提高系统的可靠性。
设计优势
D8400 的设计考虑了卫星接收系统的实际需求，通过集成多种功能，减少了外部元件的数量，提高了系统的可靠性和稳定性。其低功耗设计和广泛的电源电压范围使其适用于多种应用场景，无论是电池供电的小型设备还是需要长时间稳定运行的大型系统。
结语
D8400 是一款高性能的 FET 偏置控制器，以其高效、简洁的设计，为卫星接收系统提供了可靠的解决方案。无论是卫星接收 LNB、移动无线电还是手机，D8400 都能满足不同应用场景的需求，为卫星通信系统的设计提供了极大的便利。