1:推荐架构
电池包基本架构:MCU+充放电管理IC+BQ系列芯片
BQ系列芯片的充放电管理切换是不可控或者说比较负载的,不如直接用外部充放电管理芯片方便。
芯片 | 作用 | 备注 |
---|---|---|
MCU | 电压监控,对外通信通讯等 | GD32 |
BQ系列芯片 | 负责电池的保护、均压自均衡、电池电压监控、防过充过放等 | BQ76930 BQ78PL116 BQ2057 ADI的MAX17320 |
充放电升降压芯片 |
支持充放电双向 只负责充放电,不负责电池的保护、均压自均衡、电池电压监控、防过充过放等 |
相关芯片 SC8815 BQ25758 |

2:对外接口注意事项
以一对IIC通信+一对正负功率输出为例
接口 | 注意事项 |
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IIC通讯 | 做好ESD就好 |
功率接口 | ![]() 可以使用继电器或者3个贴片MOS(2个PMOS+1个NMOS)做开关电路做安全保护隔离,一般继电器体积太大不推荐。 平时默认是关闭 的,用于安全保护。电路本身可以防反接,前置TVS防止过压。 |
3:充放电管理芯片注意事项
一般这里充放电管理IC有3种工作状态:充电、放电、空闲。
注意事项 | 详细说明 |
---|---|
ADC采样 | 此类芯片都有一个ADC接口,应该并联一个电容用于保持采样电压稳定。 负责会采样电压不稳定,造成MCU对外部接入电压的误读,ADC读取本身有漏电功率。 TI、ADI和国产芯片都有类似问题; ![]() |
软件ADC和控制延时 | 以南芯和TI为例,必须先关闭功率环路,再读写模式转换寄存器,并延时10ms以后,并且反读一遍寄存器确认无误后,再打开功率路径。否则会造成电压尖峰,和莫名的高压。 ![]() 如下图所示,TI的方法datasheet中明确提示,要检测寄存器 ![]() 推荐策略:每次切换模式,统一执行一遍寄存器初始化+50ms延时。 重点设计寄存器:输出电压设置方式(外部电阻设置)+电流限制+充放电方向 |
输出电压的设定电阻 | 使用外部电阻设置电压时,应使用高精度电阻0.1%精度,哪怕是1%精度的电阻,0.99的平方和1.01的平方,可以时输出电压有很大的偏差。在电池电压满电时,很容易造成过充。哪怕只差零点几伏。 |
相关参考设计

4:BMS芯片注意事项
包括电压、电流和温度,防止过压⁄欠压、过流、短路、过冷⁄过热、过充电和内部自放电,IC外接热敏电阻用于测量电池温度。
对地缓冲电容 | BQ系列的芯片常常有对地的热敏电阻,应并联一个10nf的电容用于缓冲, 否则在安装电池过程中经常会因脉冲电损坏BQ芯片 ![]() 就是这个TS1和TS2 |
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电池电压均衡 | 然后一般的BMS芯片有一个电池电压的均衡功能,BQ系列一般需要学习一个fs文件获取电池的曲线文件。 ![]() |
三端保险丝 | 在BQ和MAX系列的电池BMS中,一般配三端保险丝,layout时放在万用表好点的地方,利于调试![]() |
温度保护 | 设为55度即可,充电限流在充放电管理芯片去管理即可。 |
5:MCU注意事项
工作模式(状态机) | 工控 | 说明 |
---|---|---|
充电模式 | 在充电器工作 | |
放电模式 | 主机工作(例如电转工作) | |
休眠模式 | 放电模式下拿下“手持电动工具”,电池包关闭输出,并进入休眠 | 单片机:StandbyMode模式 |
GD32或者STM32有一个StandbyMode唤醒引脚和IIC通讯的SCK线接到一起用时钟线去激活,如下图
在插入充电器和“手持电动工具”时IIC的握手帧要做区别。充放电芯片延迟2秒启动。
电压监控:软件防止过充过放,通过与BQ系列的电量计通信获取各个电池电压。
- 充电管理:
- 充电截止电压设为4.15V,最高电压大于4.15V时,通讯充放电芯片停止充电。
- 环境温度控制在0-45℃,避免高温充电。
- 放电保护:
- 终止电压≥2.75V,禁止深度放电。
- 设备待机耗电需定期补电(每月至少1次)。
电池出现过放后,重新使能BMS芯片
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充电。
2. 放电保护:
- 终止电压≥2.75V,禁止深度放电。
- 设备待机耗电需定期补电(每月至少1次)。
电池出现过放后,重新使能BMS芯片