1、MOSFET寄生电容
Ciss = Cgs + Cgd
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
2、米勒平台
下图中t2~t3这段时间，VGS处于一个平台位置，这个平台称作米勒平台。
3、米勒平台仿真
与第2节中的图是有些不一样的：
- Vdd
- Id
 |
 |
 |
 |
3.1、米勒电容Cgd对米勒平台的影响
Cgd = 1nF，Cgs = 100nF
|
米勒平台大概1us的时间：16~17us |
Cgd = 10nF，Cgs = 100nF
|
米勒平台大概6us的时间：17~23us
|
Cgd = 100nF，Cgs = 100nF
|
米勒平台大概73us的时间：17~90us
|
3.2、Cgs对米勒平台的影响
Cgd = 1nF，Cgs = 100nF
|
t1=16us，Vds电压被抬升至5.4V，米勒平台时间不变 |
Cgd = 1nF，Cgs = 10nF |
t1=2.9us，Vds电压被抬升至6.2V（因为Vgs电压充电很快，Cgd带着Vds电压抬升），米勒平台时间不变 |
3.3、驱动电流对米勒平台的影响
|
|
 |
米勒平台时间变小
|
3.4、Cgd和Cgs的比例对米勒平台的影响
Cgd = 1nF，Cgs = 10nF
|
|
Cgd = 1nF，Cgs = 100nF
|
|
Cgd = 1nF，Cgs = 1000nF
|
看不到有米勒平台出现
|
3.5、Id电流对米勒平台的影响
|
|
 |
 |
参考
[1] Onsemi，Application Note，《MOSFET Basics》
本文含有隐藏内容，请 开通VIP 后查看