FLASH简介
·闪存的操作较为麻烦，涉及擦除、编程、等待忙、解锁等等操作，需要把指令和数据写入到外设的相应寄存器，外设会自动去操作对应的存储空间。
·外设可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程，不能对系统存储器进行操作，因为系统存储器是原厂写入的bootloader程序，不允许修改
·对于C8T6程序存储容量是64K，一般写一个程序只占前边很小一部分空间，剩下的大部分空间可以利用，比如存储一些自定义的数据，充分利用资源，但是需要注意不能覆盖原有程序，否则将程序破坏，无法运行。存储少量参数一般选最后几页就行了
·在程序中编程：首先需要自己写一个bootloader程序，存放在程序更新时不会覆盖的地方，比如放在存储区域靠后的部分，需要更新程序时，控制程序跳转到我们自己写的bootloader里，这里边可以接受任意通信接口传过来的数据，如串口、蓝牙转串口、USB、WIFi转串口等等，传过来的数据就是待更新的程序，然后控制FLASH读写，把收到的程序写入到存储器前边程序正常运行的地方，写完之后再控制程序跳转到正常运行的地方，或直接复位，完成程序的自我升级。
实现自我升级的过程和系统的bootloader一样，由于程序要实现自我升级，需要布置一个辅助的小机器人来临时干活，不过系统存储器的bootloader写死了，只能用串口下载到指定位置，启动方式也不方便，只能配置BOOT引脚触发启动，如果自己写bootloader的话就可以自定义收的方式和写的位置以及启动的方式，整个升级过程程序都可以自主完成，实现在程序中编程，更进一步可以实现远程升级
·小容量产品，页数较少，只有32页，每页1k；中容量产品128页每页1k；大容量产品256页每页2k
·分为三个块，
第一个是主存储器，也就是程序存储器，用于存放程序代码，是最主要也是容量最大的一块
第二个是信息块，里边可以分为启动程序代码和用户选择字节，其中启动程序代码就是系统存储器，用于存放原厂写入的bootloader，用于串口下载；用户选择字节是是选项字节，存放独立的参数，在手册中称为选择字节（Option Bytes），是同一个东西
第三块是闪存存储器接口寄存器，这一块的寄存器并不属于闪存，因为地址都是40开头的，说明是一个普通的外设，和GPIO、定时器、串口等属于一个性质的东西，存储介质都是SRAM。闪存存储器接口属于上边的管理员，用于控制擦除和编程这个过程的
·读取指定存储器直接使用指针即可，用不到外设
·对主存储器进行分页是为了更好的管理闪存，擦除和写保护都是以页为单位的
·闪存的特性类似，写入前必须擦除，擦除必须以最小单位进行，擦除后数据位全变为1，数据只能1写0不能0写1，擦除和写入之后都要等待忙
·看地址范围可以发现，只要地址以000、400、800、C00结尾的一定是页的起始地址
·平时说的芯片闪存容量是64K、128K指的是主存储器的容量，下边信息块的容量虽然也是闪存但是不统计在这个容量里
FLASH基本结构
·整个闪存分为程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分
·“闪存存储器接口“ 和 “闪存编程和擦除控制器（FPEC）实际上是同一个东西”，别名而已。闪存存储器接口相当于闪存的管理员，可以对程序存储器进行擦除和编程，也可以对选项字节进行擦除和编程，系统存储器不可以
·选项字节很大一部分配置位是配置主程序存储器读写保护的，所以可以配置读写保护
操作控制器FPEC对程序存储器和选项字节进行擦除和编程
一、FLASH解锁
·操作和W25Q64类似，W25Q64操作之前需要写使能，FLASH操作之前也需要进行解锁，目的是为了防止误操作。解锁的方式和独立看门狗一样，在键寄存器写入指定的键值实现，好处是防止误操作，每一个指令必须输入密码才能完成
·RDPRD键是解除保护的密钥，值是0xa5，三个键值是是随意定义的，只要定义的不是很简单，不会随意解锁即可
复位之后FLASH默认上锁，在FLASH_KER寄存器中，先写入KEY1再写入KEY2解锁，安全性较高，如果没按顺序正确写入密码，整个模块会完全锁死，除非复位
控制寄存器中有个lock位，在这一位写1就可以重新锁住闪存了
二、使用指针访问存储器
·STM32内部的存储器是直接挂载在总线上的，这时读写某个寄存器只需要使用C语言的指针即可。
使用指针读指定地址下的寄存器
·第一步给定读取存储器的地址，*((__IO uint16_t *)(0x08000000))在这里的括号里边由于只有一个数，所以可以不加括号；但是如果要对地址进行加减，必须加上括号，并在括号里面进行加减，否则运算的优先级会有问题
·第二步在地址前边加上强制类型转换，这里将变量强制转换为了uint16_t的指针类型，如果想以16位的方式读出指定地址的数据，就转换为uint16_t*，如果想以8位读出就uint8_t*，想浮点类型就float*或double*。
在指针类型前边加了__IO,在STM32中这时一个宏定义，#define __IO volatile。对应c语言的关键字volatile，volatile直译就是易变的数据，加上这个是一种安全保障措施，在程序逻辑上没有作用，只是用于防止编译器优化。keil编译器默认情况下是最低优化等级，加不加volatile都不影响，如果提高编译优化等级就会产生问题。
编译优化的作用是取出无用的繁杂代码，降低代码空间，提升运行效率，但是优化之后在某些地方编译器会弄巧成拙，比如想使用变量计数空循环的方式实现延时函数，编译器优化的时候会觉得这段代码没用会直接优化掉，这时可以在前边加上volatile告诉编译器不进行优化，原封不动的执行。
编译器会利用缓存加速代码，比如要频繁读写内存的某个变量，最常见的优化方式是先把变量移到高速缓存里，在STM32里有一个类似缓存的工作组寄存器，这些寄存器的访问速度最快，先把变量放在缓存里，需要读写的时候直接读写缓存即可，用完之后再写回内存，这是优化的方案。但是如果程序存在多个线程，比如中断函数，在中断函数里改变了原始变量，但是缓存并不知道已经更改了，下次程序还看缓存中的变量，会造成数据更改不同步的问题，解决方法也是在变量定义前边加上一个volatile，告诉编译器运行的时候要从内存里找，不使用缓存进行优化
如果开起了编译器优化，在无意义加减变量，多线程更改变量，读写与硬件相关的存储器时，都需要加上volatile防止被编译器优化。如果默认不开启编译器优化则无所谓，加不加都一样
·第三步使用*号，指针取内容，把指针指向的存储器取出来，这个值是指定存储器的值，取出来后赋值给自定义的变量Data。
对于闪存的读取是不需要解锁的，因为读取是只看寄存器，不对寄存器进行更改，所需权限低，无需解锁可直接读
使用指针写指定地址下的寄存器
·如上边的图，等号左边先给定地址，再强转为指针，最后指针取内容，就是指定地址的值，直接进行赋值，对其赋值比如0x1234，完成指定地址写的功能。
由于是写入数据，并且指定的是闪存的地址，闪存在程序运行时是只读的，不能轻易更改，对闪存进行更改的时候需要较高的权限，需要提前解锁，并且套上后边的 “ 程序存储器编程 ” 的流程，如果地址写的是SRAM的地址，比如0x20000000，则可以直接写入，因为SRAM在运行的时候是可读可写的
流程图
程序存储器编程（写入）
·在擦除之后就可以执行写入的流程，STM32的闪存在写入之前会检查指定地址有没有擦除，如果没有擦除就执行写入，STM32则不执行写入操作，除非写入的数据全是0
程序存储器页擦除（写入前必须擦除）
·擦除之后所有的数据位变为1，擦除的最小单位就是1页，1k,1024字节
·页擦除类似于下边的全擦除，第一步是解锁的流程，和全擦除一样
·第二步置控制寄存器里PER（page Erase）位为1，在AR地址寄存器中选择要擦除的页，最后置控制寄存器的Start位为1，置Start为1也是触发条件，Start为1芯片开始干活，芯片看到per = 1就知道接下来要执行页擦除，然后继续看AR寄存器的数据，AR寄存器要提前写入一个页起始的地址，芯片就会将指定的一页给擦除
擦除开始之后页需要等待busy位，最后读出并验证数据不用看
程序存储器全擦除
·把所有的页都擦除掉
·第一步是读取lock位，查看芯片锁没锁，如果lock位 = 1，锁住了就执行解锁过程，解锁过程就是在KEYR寄存器先写入KEY1再写入KEY2，如果当前没有锁住就无需解锁，不过在库函数中是直接执行解锁，不管有没有上锁
·解锁之后，首先置控制寄存器里的MER（Mass Erase）位为1，然后再置Start位为1，其中Start位为1是触发条件，Start为1之后芯片开始干活，芯片看到MER位是1，接下来就会执行全擦除的过程，内部电路自动执行全擦除的过程
·擦除过程开始之后程序要执行等待，判断状态寄存器的BSY（BUSY）位是否为1，BSY位表示芯片是否处于忙状态，BSY为1表示芯片忙，如果判断为1则跳转回来继续判断，直到BSY为0跳出循环，结束全擦除过程
·最后一步是读出并验证所有页的数据，一般是测试程序才需要做的，正常情况下全擦除完成了，默认就是成功，如果要全部读出来验证的话工作量太大了，所以最后一步一般不管
