一、Flash
1.1 Flash简介
STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程
读取闪存存储器，可以在通用地址空间直接寻址，直接使用指针即可
读写FLASH的用途：
（1） 利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据
（2）通过在程序中编程（IAP），实现程序的自我更新
闪存存储器可以用ICP或IAP方式编程：
1.2 闪存模块组织
STM32F103C8T6有64KFlash存储空间，存储器组织成64个1K字节/页，页的起始地址以000、4000、800、C00结尾
1.3 Flash基本结构
STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分
程序存储器（0x0800 0000 ~ 0x0800 FFFF，64KB）：存储编译后的代码
系统存储器（0x1FFF F000 ~ 0x1FFF F7FF，2KB）：用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序，这个区域只保留给ST使用， 启动程序使用USART1串行接口实现对闪存存储器的编程；ST在生产线上对这个区域编程 并锁定以防止用户擦写。
选项字节（0x1FFF F800 ~ 0x1FFF F80F，16B）：存储一些独立于程序代码的配置参数
1.4 Flash解锁
1.5 使用指针访问存储器
1.6 Flash的擦除与编程
每执行一次编程过程可写入一个半字（16位字节），如果要写入很多数据，那就需要循环调用编程流程即可
写入Flash的具体流程：
（1）解锁Flash：在写入Flash之前，首先需要对Flash进行解锁。STM32的Flash有写保护功能，为了防止意外操作导致的数据损坏，需要手动解除保护。解锁操作需要向特定的解锁寄存器（如KEYR）写入特定的密钥序列。
（2）等待BSY：解锁完成后，需要确保Flash处于就绪状态。可以通过检查FLASH_SR寄存器的相关位（如BSY位）来判断Flash是否处于忙碌状态。务必等待Flash就绪后再进行后续操作。
（3）擦除目标扇区：在写入数据之前，需要先擦除目标扇区。STM32的Flash是按扇区进行擦写的，擦除一个扇区会把该扇区的所有数据设置为全1（0xFF）。擦除操作需要设置FLASH_CR寄存器的相关位，并指定需要擦除的扇区。
（4）等待擦除完成：擦除操作需要一定的时间，因此需要等待擦除完成。可以通过检查FLASH_SR寄存器的相关位（如EOP位）来判断擦除是否完成。务必等待擦除完成后再进行后续操作。
（5）写入数据：擦除完成后，就可以开始向目标地址写入数据了。通常，可以选择按字（32位）或半字（16位）进行写入。写入操作需要设置FLASH_CR寄存器的相关位，并将数据写入到目标地址。
（6）等待写入完成：与擦除操作类似，写入操作也需要一定的时间。因此需要等待写入完成。可以通过检查FLASH_SR寄存器的相关位（如EOP位）来判断写入是否完成。
（7）锁定Flash：写入操作完成后，为了防止意外操作导致的数据损坏，建议重新锁定Flash。锁定操作需要设置FLASH_CR寄存器的相关位（如LOCK位）。
1.7 选项字节
当写入一个存储器的值，要同时在带有n的寄存器中写入数据的反码，这样写入的数据才有效
写入反码的过程，硬件会自动计算，并写入
1.7.1 选项字节擦除
1.7.2 选项字节编程
1.8 器件的电子签名
