《考研408《计算机组成原理》复习笔记，第三章(1)——存储系统概念-CSDN博客》
上一章我讲了很多整体的存储器宏观概念，但是还是难免牵扯到很多专业知识点，SAM\DAM等等，整体那叫一个混乱。。。所以这一章就彻彻底底把这些讲过详细明白
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另外推荐各位可以看一下这几个视频，我的总结就是结合这几个视频
一、RAM和ROM区别
1、ROM只读存储器
- ROM（Read-Only Memory，只读存储器）：容量较小，用于存储固件或系统启动时必须的代码。只可以读、不可以写入（所以开机启动的BIOS自检程序就在ROM里面），而且它是非易失性的，断电后数据不会丢失。
代表有：电脑的固态硬盘、U盘、手机的存储空间
要记忆的一些点：
- 传统的ROM确实是被厂商一开始就写入程序，然后禁止在写入，只可读不可写 （比如早期电脑的 MROM（掩膜 ROM ） 、 PROM（可编程 ROM ））
- 而现代ROM升级了，也有很多ROM支持写入了，比如下面这些（了解即可）
- EPROM【可擦除可编程只读存储器】
- UVEPROM(ultravioletrays)--用紫外线照射8~20分钟，擦除所有信息
- EEPROM【电可擦除可编程只读存储器】，可多次擦除写入，擦除特定信息（也常记为E2PROM，第一个E是Electrically）
- FLASH【闪存】，由EEPROM发展而来，我们的【外存（辅存）】：固态硬盘SDD、U盘、手机存储卡就是典型的用闪存技术的
- 还有一个遗漏知识点，谁都不会提起，但是考试会考你
恶心考点
闪存Flash Memory
这个神经的东西是真的奇葩，他归属与ROM只读存储器的范围，但是它又是可以是随机存储器，比如【BIOS只读存储器】就是用的NOR FLASH闪存，但是它又是随机存储器；【固态硬盘SSD】也是，用的是NAND闪存，结果又是随机存储器
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所以他的难点考点就是：
- 它兼有ROM、RAM的优点：可不加电长期存储、可多次快速擦除重写
- 但是必须先擦除再写入，“写”速度比“读”速度慢！！！
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例题
2、RAM随机存取存储器
- RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）：容量比RAM大，用于临时存储正在运行的程序和当前处理的数据。可以【读 和 写入】，但是它是易失性的，断电后数据会丢失。
代表有：CPU缓存(SRAM)、电脑和手机的内存(DRAM)
【重点是：静态RAM（SRAM）和 动态RAM（DRAM）】，下面开始讲
二、DRAM和SRAM
首先，这两都是RAM！！
1、DRAM动态随机存取存储器
原理是：
- 1、依靠【栅极电容器】来存电，利用存储元电路中栅极电容上的电荷来存储信息
- 2、只需要一个晶体管和一个电容
- 3、只使用一个品体管，所以它比 SRAM 的密度要高很多
特点就是他就像电池一样，长时间会流失电，只能不定时的一直【刷新】地给电容动态充电
用于内存！！！！
2、SRAM静态随机存取存储器
原理是：
- 用【双稳态触发器(六品体管 MOS)】来记忆信息的
- 需要6个或者更多晶体管
- 只要在通电情况下，不存入新数据，那代表了0或1的存储单元就不会消失，不需要时不时动态充电（静态是指即使信息被读出后，它仍保持其原状态而不需要再生，也即：非破坏性读出）
CPU中的Cache缓存就用它！！！！
3、两者对比
【速度】
【容量】
【密集度】
DRAM只用1个晶体管，所以可以多个挨着距离小，密集性高
SRAM需要6个或6个以上晶体管，所以密集性小
【整体对比表】
【误区】
并不是说SRAM因为静态保存数据，就代表他是非易失忆性！！错！！！
DRAM和SRAM都是易失忆性！！！！SRAM保持数据稳定的前提是【不断电！！不断电！！！！你给他电源拔了试试他还稳定吗】
4、例题
（这个SDRAM就没有教材提及一点，老子直接记这一题就行了，懒得学他是啥了md烦了）
4、其他的联合比较（来自我的朋友和其他博主的笔记）
三、关于主存的RAM、ROM误区
md太晚了，未完待续